真空蒸鍍?cè)硎鞘裁?

蒸鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構(gòu)或產(chǎn)生化學(xué)鍵合。

將基片放入真空室內(nèi)，以電阻、電子束、激光等方法加熱膜料，使膜料蒸發(fā)或升華，氣化為具有一定能量(0.1～0.3eV)的粒子(原子、分子或原子團(tuán))。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運(yùn)動(dòng)飛速傳送至基片，到達(dá)基片表面的粒子一部分被反射，另一部分吸附在基片上并發(fā)生表面擴(kuò)散，沉積原子之間產(chǎn)生二維碰撞，形成簇團(tuán)，有的可能在表面短時(shí)停留后又蒸發(fā)。粒子簇團(tuán)不斷地與擴(kuò)散粒子相碰撞，或吸附單粒子，或放出單粒子。此過程反復(fù)進(jìn)行，當(dāng)聚集的粒子數(shù)超過某一臨界值時(shí)就變?yōu)榉€(wěn)定的核，再繼續(xù)吸附擴(kuò)散粒子而逐步長大，最終通過相鄰穩(wěn)定核的接觸、合并，形成連續(xù)薄膜。

真空蒸鍍加熱方式有哪些?

(1)電阻加熱：電阻加熱源是普遍使用的蒸發(fā)源，它結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便。典型的導(dǎo)電加熱體材料有鎢、鉭、鉬和碳等。導(dǎo)電加熱體的電阻加熱通常采用低電壓(<10 V)、大電流(幾百安培)加熱方式。可根據(jù)蒸發(fā)材料的性質(zhì)以及蒸發(fā)源材料的浸潤性加以選用。

(2)電子束加熱：電子束加熱法的基本原理是基于由熱陰極發(fā)射的電子在電場(chǎng)作用下，獲得動(dòng)能轟擊到作為陽極的蒸發(fā)材料上，將其動(dòng)能轉(zhuǎn)化為加熱材料的內(nèi)能而使材料蒸發(fā)。由于聚集電子束的能量密度大，可使材料表面局部區(qū)域達(dá)到3 000℃～4 000℃的高溫，適于蒸發(fā)高熔點(diǎn)金屬、化合物材料和要求高蒸發(fā)速率的場(chǎng)合。

(3)射頻感應(yīng)加熱：感應(yīng)加熱是將射頻電源的能量直接耦合到金屬、石墨一類的導(dǎo)體上，其原理是利用高頻電磁場(chǎng)在導(dǎo)體材料中感生的熱量來直接加熱導(dǎo)體本身。

(4)電弧加熱：電弧蒸鍍利用高真空中兩導(dǎo)電材料制成的電極之間形成電弧放電產(chǎn)生的高溫，使電極材料蒸發(fā)而在基體上凝聚成膜。

(5)激光加熱：脈沖激光加熱表面可實(shí)現(xiàn)材料的瞬時(shí)蒸發(fā)，脈沖激光作為一種新的加熱源，其特點(diǎn)之一是能量在時(shí)間和空間上高度集中，與常規(guī)的熱蒸發(fā)有顯著區(qū)別。

標(biāo)簽： 真空蒸鍍?cè)恚婵照翦兗訜岱绞剑婵?/span>